Modélisation et Simulation Spice des Composants de Puissance

Univ Europeenne - EAN : 9783847389798

Lotfi MESSAADI

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Édition papier

EAN : 9783847389798

Paru le : 7 juil. 2016

55,90 € 52,99 €

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Détails

EAN13 : 9783847389798
Réf. fournisseur : 7823427
Editeur : Univ Europeenne
Date Parution : 7 juil. 2016
Disponibilite : Disponible
Barème de remise : NS
Nombre de pages : 148
Format : H:229 mm L:152 mm E:9 mm
Poids : 228gr
Interdit de retour : Retour interdit

Résumé

Résumé : Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d'énergie interdite. Ce matériau possède des caractéristiques en température et une tenue aux champs électriques bien supérieures à celles du silicium. Les dispositifs à base de ce matériau (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements à haute température, haute puissance, haute tension et haute radiation. Ces caractéristiques permettent des améliorations significatives dans une grande variété d'applications et de systèmes de puissance. Dans ce travail on présente des études analytiques comparatives des modèles des composants à semi-conducteurs en SiC, ainsi que les principales caractéristiques statiques, dynamiques, et thermiques des meilleurs composants comme SiC-JFET, SiC diode Schottky et le SiC-MOSFET, de puissance commercialisés de différent constructeurs en raison d'élaborer un plan de choix guidant les concepteurs des circuits d'électronique de puissance de sélectionner le composant le plus adapté à leur cahier de charge selon leurs objectifs et selon les performances de leurs convertisseurs de puissance.
Biographie : Né le 17 juin 1985 à Batna, Algérie, Messaadi lotfi est titulaire d'un diplôme d'ingénieur d'état, magistère et futur docteur en électronique option micro-électronique, j'ai travaillé dans la recherche, l'optimisation et développement, dans le secteur de la micro-électronique, principalement l'électronique de puissance.