Nous utilisons des cookies pour améliorer votre expérience. Pour nous conformer à la nouvelle directive sur la vie privée, nous devons demander votre consentement à l’utilisation de ces cookies. En savoir plus.
Simulation Numérique De La Croissance Cristalline Du Al2O3:Ti
Univ Europeenne - EAN : 9783639544732
Édition papier
EAN : 9783639544732
Paru le : 1 mars 2017
49,90 €
47,30 €
Disponible
Pour connaître votre prix et commander, identifiez-vous
Notre engagement qualité
-
Livraison gratuite
en France sans minimum
de commande -
Manquants maintenus
en commande
automatiquement -
Un interlocuteur
unique pour toutes
vos commandes -
Toutes les licences
numériques du marché
au tarif éditeur -
Assistance téléphonique
personalisée sur le
numérique -
Service client
Du Lundi au vendredi
de 9h à 18h
- EAN13 : 9783639544732
- Réf. fournisseur : 6252341
- Editeur : Univ Europeenne
- Date Parution : 1 mars 2017
- Disponibilite : Disponible
- Barème de remise : NS
- Nombre de pages : 112
- Format : H:229 mm L:152 mm E:7 mm
- Poids : 177gr
- Interdit de retour : Retour interdit
- Résumé : Le cristal de saphir dopé au titane possède beaucoup d'applications dans le domaine des lasers et des cristaux pour l'optoélectronique. Dans ce travail nous avons étudié la croissance cristalline des fibres de saphir : titane à l'aide de la technique de croissance micro-pulling down. Notre étude est concentrée sur le transfert thermique dans la zone fondue qui n'est pas accessible expérimentalement (Température élevée), et sur le transfert massique axial et radial des dopants dans la fibre tirée qu'on peut l'utiliser comme un milieu amplificateur dans les systèmes lasers, d'un autre coté on a étudié l'influence des nombres adimensionnels sur le transfert de chaleur dans le système de croissance. Ce problème qui tient compte du couplage convection-diffusion est discrétisé en utilisant la méthode FVM. Notre modèle donne des résultats qui concordent avec les résultats expérimentaux. Nous avons pu montrer que la méthode -PD peut rassembler les conditions nécessaires pour l'optimisation de la distribution de la concentration des dopants pour augmenter le couplage entre l'onde laser et les ions du dopant afin de donner la plus haute puissance lumineuse possible en sortie du laser.