Qualification des composants mos pour l''environnement radiatif spatial

Univ Europeenne - EAN : 9786131568060
SAIGNE-F
Édition papier

EAN : 9786131568060

Paru le : 17 mars 2011

49,00 € 46,45 €
Disponible
Pour connaître votre prix et commander, identifiez-vous
Notre engagement qualité
  • Benefits Livraison gratuite
    en France sans minimum
    de commande
  • Benefits Manquants maintenus
    en commande
    automatiquement
  • Benefits Un interlocuteur
    unique pour toutes
    vos commandes
  • Benefits Toutes les licences
    numériques du marché
    au tarif éditeur
  • Benefits Assistance téléphonique
    personalisée sur le
    numérique
  • Benefits Service client
    Du Lundi au vendredi
    de 9h à 18h
  • EAN13 : 9786131568060
  • Réf. éditeur : 4694734
  • Editeur : Univ Europeenne
  • Date Parution : 17 mars 2011
  • Disponibilite : Disponible
  • Barème de remise : NS
  • Nombre de pages : 144
  • Format : H:229 mm L:152 mm E:9 mm
  • Poids : 222gr
  • Interdit de retour : Retour interdit
  • Résumé : La mise en place des premières constellations de satellites pour les télécommunications et la tendance générale à utiliser des composants commerciaux pose le problème de la vulnérabilité et de la durée de vie des composants de type MOS à l''effet de dose. Lors de ces missions, l''utilisation généralisée de composants commerciaux passe par une sélection qui doit faire l''objet d''une attention toute particulière. Le travail présenté ici concerne la mise en place d''une méthodologie de tri de ces composants qui s''appuie sur la relaxation thermique des charges piégées dans le volume de l''oxyde. Après avoir présenté les phénomènes physiques à l''origine des dégradations induites par les rayonnements ionisants dans les isolants, nous donnons les bases d''une méthode de qualification des composants qui prend en compte les spécificités de l''oxyde et les paramètres de la mission. Le domaine de validité de la méthode et les précautions à prendre lors de l''interprétation des résultats sont ensuite analysés. Dans la dernière partie, nous avons abordé l''influence du champ électrique sur les processus qui régissent le comportement des composants irradiés.
Haut de page
Copyright 2026 Cufay. Tous droits réservés.