Nous utilisons des cookies pour améliorer votre expérience. Pour nous conformer à la nouvelle directive sur la vie privée, nous devons demander votre consentement à l’utilisation de ces cookies. En savoir plus.
Micromagnétisme et spintronique des jonctions magnétiques tunnel
Univ Europeenne - EAN : 9786131570261
Édition papier
EAN : 9786131570261
Paru le : 1 avr. 2011
69,00 €
65,40 €
Disponible
Pour connaître votre prix et commander, identifiez-vous
Notre engagement qualité
-
Livraison gratuite
en France sans minimum
de commande -
Manquants maintenus
en commande
automatiquement -
Un interlocuteur
unique pour toutes
vos commandes -
Toutes les licences
numériques du marché
au tarif éditeur -
Assistance téléphonique
personalisée sur le
numérique -
Service client
Du Lundi au vendredi
de 9h à 18h
- EAN13 : 9786131570261
- Réf. éditeur : 4675910
- Editeur : Univ Europeenne
- Date Parution : 1 avr. 2011
- Disponibilite : Disponible
- Barème de remise : NS
- Nombre de pages : 228
- Format : H:229 mm L:152 mm E:13 mm
- Poids : 342gr
- Interdit de retour : Retour interdit
- Résumé : L''effet tunnel dépendant du spin dans une jonction tunnel magnétique, connaît ces dernières années un regain d''intérêt avec sa mise en évidence à température ambiante et avec ses multiples applications potentielles pour l''élaboration de nouveaux dispositifs micro-électroniques (mémoires non-volatiles, capteurs magnéto-résistifs, etc). Ce travail nous a amené à élaborer des jonctions tunnel magnétiques de taille micronique et à étudier la corrélation entre leurs propriétés magnétiques et leurs propriétés de transport polarisé en spin à des échelles macroscopiques et microscopiques. Il s''est avéré que, grâce à la sensibilité extrême du transport par effet tunnel polarisé en spin aux fluctuations de l''aimantation aux interfaces métal ferromagnétique/isolant, les jonctions magnétorésistives sont des systèmes idéaux pour étudier sélectivement l''évolution de la structure en domaines des couches ferromagnétiques en contact avec la couche isolante en fonction du champ magnétique appliqué.