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L'oxyde d'hafnium pour la microélectronique
Univ Europeenne - EAN : 9786131580376
Édition papier
EAN : 9786131580376
Paru le : 28 juin 2011
89,00 €
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- EAN13 : 9786131580376
- Réf. éditeur : 5608362
- Editeur : Univ Europeenne
- Date Parution : 28 juin 2011
- Disponibilite : Manque sans date
- Barème de remise : NS
- Nombre de pages : 304
- Format : H:220 mm L:150 mm
- Poids : 450gr
- Interdit de retour : Retour interdit
- Résumé : Du fait de sa grande constante diélectrique et sa large bande interdite, l'oxyde d'hafnium a récemment été proposé pour remplacer l'oxyde thermique classique. Le but de cette thèse était de faire un point sur les propriétés électriques de ce nouveau matériau et de mieux comprendre les difficultés rencontrées par l'industrie de la microélectronique pour intégrer cet oxyde alternatif dans les futurs transistors CMOS. Cette thèse est organisée en quatre chapitres. Chacun d'entre eux est consacré à une propriété électrique essentielle de l'empilement haute permittivité : L'EOT (Epaisseur Equivalente Oxyde), la conduction à travers l'isolant, les défauts électriques dans l'oxyde et la fiabilité du diélectrique.
- Biographie : Xavier Garros received the M.S. in physics engineering, from theNational Polytechnics Institute of Grenoble (2000) and his Ph.D.from the Univ.of Marseille (2004), on the physics of High-Kdielectrics for CMOS technologies. Now he's working in CEA/Letiand has been member of scientific committees of internationalconferences like SISC and IEDM.
