Intégration du siliciure de nickel

Univ Europeenne - EAN : 9783841788849

Benoit Froment

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Édition papier

EAN : 9783841788849

Paru le : 6 févr. 2012

69,00 € 65,40 €

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Détails

EAN13 : 9783841788849
Réf. fournisseur : 5305794
Editeur : Univ Europeenne
Date Parution : 6 févr. 2012
Disponibilite : Disponible
Barème de remise : NS
Nombre de pages : 228
Format : H:220 mm L:150 mm
Poids : 342gr
Interdit de retour : Retour interdit

Résumé

Résumé : Le siliciure de nickel pur ou allié avec du platine est maintenant utilisé comme contacts dans les technologies CMOS car il nécessite un plus faible budget thermique, possède une plus faible résistivité, consomme moins de silicium, a une formation contrôlée par la diffusion et permet d'obtenir une phase peu résistive sur SiGe, contrairement à son prédécesseur le siliciure de cobalt. Malgré ces avantages, un certains nombre de problèmes restent liés à son intégration dans des dimensions décananométriques. Au-delà d'une meilleure connaissance du comportement en température et des propriétés du siliciure de nickel en couches très minces, l'objectif de cet ouvrage est d'améliorer notre connaissance du NiSi, pour l'intégrer sur les noeuds technologiques inférieurs au 65nm, et de caractériser et d'éventuellement résoudre tous les défis relatifs à l'intégration de ce nouveau matériau dans un environnement toujours plus dense. L'ensemble des résultats et des caractérisations réalisées ont permis de proposer un scénario de formation de l'intrusion du siliciure dans le canal. Ce livre s'adresse principalement aux étudiants, professeurs et chercheurs en micro et nano-électronique.
Biographie : Docteur ès sciences de l'université de Grenoble, spécialisé en micro et nano-électronique, diplomé de SUPELEC et du DEA d'Electronique de l'université PARIS VI, ingénieur sénior recherche et développement à STMicroelectronics, à Crolles.