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Hétérostructures (Al,Ga)N/GaN sur silicium
Academiques - EAN : 9783838149790
Édition papier
EAN : 9783838149790
Paru le : 21 nov. 2014
79,90 €
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- EAN13 : 9783838149790
- Réf. fournisseur : 6429319
- Editeur : Academiques
- Date Parution : 21 nov. 2014
- Disponibilite : Manque sans date
- Barème de remise : NS
- Nombre de pages : 180
- Format : H:220 mm L:150 mm
- Poids : 274gr
- Interdit de retour : Retour interdit
- Résumé : Ce travail concerne le développement et l'évaluation de nitrures d'éléments III épitaxiés sur substrat de silicium (111). L'objectif de notre travail était la réalisation et l'étude d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN en vue d'évaluer leurs potentialités pour deux types d'applications. La première concerne les microcavités destinées à l'étude du couplage exciton-photon et à la fabrication de diodes électroluminescentes à cavité résonante (DELs-CR). La seconde a trait aux dispositifs hyperfréquences de type transistors à gaz 2D d'électrons. Le chapitre I est consacré à la description d'un procédé de croissance de GaN sur Si par epitaxie sous jets moléculaires, L'étude des propriétés électriques et optiques d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN est reportée au chapitre II. Dans le chapitre III nous proposons et développons un moyen de contrôler la contrainte dans les superréseaux (Al,Ga)N/GaN. De tels superréseaux sont élaborés pour la fabrication de DELs-CR émettant dans le bleu. Finalement, le régime de couplage fort exciton-photon est pour la première fois mis en évidence dans les nitrures d'éléments III.
- Biographie : Franck received his M.Sc. degree (2000) in Electronic Engineering from the University of Bordeaux, France, and his PhD degree in physics from the University of Nice, France (2003). He is currently a Senior Lecturer of Physics at the School of Chemical and Physical Sciences, Victoria University of Wellington, New Zealand.
