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Etude théorique de nanofils semi-conducteurs
Univ Europeenne - EAN : 9786131515132
Édition papier
EAN : 9786131515132
Paru le : 7 juil. 2010
49,00 €
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- EAN13 : 9786131515132
- Réf. fournisseur : 4592345
- Editeur : Univ Europeenne
- Date Parution : 7 juil. 2010
- Disponibilite : Disponible
- Barème de remise : NS
- Nombre de pages : 144
- Format : H:229 mm L:152 mm E:9 mm
- Poids : 222gr
- Interdit de retour : Retour interdit
- Résumé : Le fonctionnement des dispositifs électroniques repose sur la densité de porteurs de charge libre disponible dans les semi-conducteurs; dans la plupart des dispositifs semi-conducteurs, cette densité est contrôlée par l''ajout d''atomes dopant. Lorsque la taille des composantes diminue, la présence d''interfaces et de matériaux adjacents aux semi-conducteurs aura une influence importante qui déterminera complètement les propriétés électroniques du dispositif. Afin d''améliorer leurs performances et leurs domaines d''application, de nouvelles architectures de transistor à effet de champ (FinFET, nanofils transistors à effet de champ) ont été proposées pour remplacer les dispositifs planaires utilisés aujourd''hui. Le bon fonctionnement de ces dispositifs dépend de notre capacité à mieux contrôler l''emplacement et le nombre d''atomes d''impuretés dans les semi-conducteurs lors du processus de fabrication. Nous montrons ici, que la densité de porteur de charge libre dans les nanofils de semi-conducteurs dépend de leur taille, que leur propriété électronique dépend complètement de leur environnement diélectrique.
