Nous utilisons des cookies pour améliorer votre expérience. Pour nous conformer à la nouvelle directive sur la vie privée, nous devons demander votre consentement à l’utilisation de ces cookies. En savoir plus.
Etude par MET des défauts cristallins dans l'intermétallique Al2Cu( )
Academiques - EAN : 9783838146249
Édition papier
EAN : 9783838146249
Paru le : 25 sept. 2014
59,90 €
56,78 €
Epuisé
Pour connaître votre prix et commander, identifiez-vous
Manquant sans date
Notre engagement qualité
-
Livraison gratuite
en France sans minimum
de commande -
Manquants maintenus
en commande
automatiquement -
Un interlocuteur
unique pour toutes
vos commandes -
Toutes les licences
numériques du marché
au tarif éditeur -
Assistance téléphonique
personalisée sur le
numérique -
Service client
Du Lundi au vendredi
de 9h à 18h
- EAN13 : 9783838146249
- Réf. fournisseur : 6458243
- Editeur : Academiques
- Date Parution : 25 sept. 2014
- Disponibilite : Manque sans date
- Barème de remise : NS
- Nombre de pages : 112
- Format : H:220 mm L:150 mm
- Poids : 177gr
- Interdit de retour : Retour interdit
- Résumé : Les défauts cristallins de la phase Al2Cu ont été étudiés par la technique de microscopie électronique à transmission. Le principe de l'imagerie numérique a été retenu dans notre travail pour mettre plus de rigueur dans l'interprétation. Des difficultés majeures d'interprétation des images des dislocations en MET à deux ondes ont surgi en utilisant les critères classiques d'extinction du contraste. Les indéterminations ont été levées en construisant un nouveau programme de calcul tenant compte de l'effet de relaxation élastique d'une dislocation près d'une surface libre. Les dislocations identifiées en MET à deux ondes ont des vecteurs de Burgers de type b = <001> et ½ <111>. L'observation et la simulation de coeurs de dislocations en METHR a été possible en utilisant un sous-joint de fautes lamellaires dans l'eutectique Al-Al2Cu démontrent la présence de dislocations ayant un vecteur b = <001> ou ½ <111> et une normale de sous-joint très proche de <111>.
- Biographie : Docteur en Sciences et Génies des Matériaux de l'Institut National Polytechnique de Grenoble (France) depuis 2004. Actuellement,il est Maitre Assistant en Physique. Ses recherches s'articulent autour des défauts dans les semi-conducteurs. Il a publié de nombreux articles au niveau international et un livre d'optique géométrique et instruments