Etude aux interfaces des couches minces Cu/Au/Si et Pd/Au/Si

Academiques - EAN : 9783838147727

Chawki Benazzouz

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Édition papier

EAN : 9783838147727

Paru le : 19 janv. 2015

59,90 € 56,78 €

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Détails

EAN13 : 9783838147727
Réf. fournisseur : 6409490
Editeur : Academiques
Date Parution : 19 janv. 2015
Disponibilite : Manque sans date
Barème de remise : NS
Nombre de pages : 128
Format : H:220 mm L:150 mm E:8 mm
Poids : 200gr
Interdit de retour : Retour interdit

Résumé

Résumé : Des échantillons de Cu/Au,Au/Cu et Pd/Au sur Si(100),Si(111) ont été élaborés par évaporation thermique ensuite recuit sous vide entre 100-650°C/30min. La caractérisation de ces échantillons a été effectuée par la rétrodiffusion de Rutherford RBS,la diffraction des rayons X,la microscopie életronique à balayage avec l'énergie dispersive à rayons X qui lui est associée. L'approche de cette étude est de voir si la couche d'or interposée en sandwich joue le role d'une barrière de diffusion quand la température de la structure augmente. Après recuit thermique, pour le système Cu/Au et Au/Cu, la coalescence des couches de Cuivre et d'Or conduit vers la formation des siliciures de Cuivre Cu3Si et/ou Cu4Si sous forme de cristallites de formes rectangulaires et carrées sur Si(100) et triangulaire équilatéraux sur Si(111).De même pour la structure Pd/Au,la coalescence du Palladium et l'Or conduit à la croissance de siliciures Pd2Si et/ou PdSi sous forme de micro-cristallites de forme triangulaire équilatéral sur Si(111),tandis que sur Si(100) on enregistre la formation de nanocrystallites sans aucune forme particulière.La croissance de ces composés pour les deux structures.
Biographie : Dr BENAZZOUZ Chawki, né le 03 mars 1953 à Costantine, Algérie.Docteur en Sciences en Physique depuis 2007 à l'Université Mentouri - Constantine et Directeur de Recherche au Centre de Recherche Nucléaire d'Alger. Domaine d'interrets: Métallisation du Silicium et Techniques de caractérisations.