Électronique des Hautes Fréquences

Univ Europeenne - EAN : 9786131550058

Audrey Martin

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Édition papier

EAN : 9786131550058

Paru le : 7 déc. 2010

69,00 € 65,40 €

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Détails

EAN13 : 9786131550058
Réf. fournisseur : 4906346
Editeur : Univ Europeenne
Date Parution : 7 déc. 2010
Disponibilite : Manque sans date
Barème de remise : NS
Nombre de pages : 232
Format : H:220 mm L:150 mm
Poids : 347gr
Interdit de retour : Retour interdit

Résumé

Résumé : Ces travaux de recherche se rapportent à l'étude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l'amplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristiques des matériaux grand gap et plus particulièrement du GaN est réalisée afin de mettre en exergue l'adéquation de leurs propriétés pour des applications de puissance hyperfréquence telle que l'amplification large bande. Dans ce contexte, des résultats de caractérisations et modélisations électriques de composants passifs et actifs sont présentés. Les composants passifs dédiés aux conceptions de circuits MMIC sont décrits et différentes méthodes d'optimisation que ce soit au niveau électrique ou électromagnétique sont explicitées. Les modèles non linéaires de transistors impliqués dans nos conceptions sont de même détaillés. Le fruit de ces travaux concerne la conception d'amplificateurs distribués de puissance large bande à base de cellules cascode de HEMTs GaN, l'un étant reportés en flip-chip sur un substrat d'AlN, le second en technologie MMIC. La version MMIC permet d'atteindre 6.3W sur la bande 4-18GHz à 2dB de compression. Ces résultats révèlent les fortes potentialités attendues des composants HEMTs GaN.
Biographie : Audrey MARTIN est née à Châteauroux, en France le 07 avril 1980.Elle a obtenu le titre de Docteur de l'Université de Limoges pources travaux sur la technologie GaN en 2007. Actuellement, elleest enseignant-chercheur au laboratoire XLIM. Ses travauxconcernent la conception de circuits µondes ainsi que la modélisation NL de composants.