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Elaboration des Nitrures de Gallium avec traitement Si/N
Univ Europeenne - EAN : 9786131597275
Édition papier
EAN : 9786131597275
Paru le : 19 oct. 2011
49,00 €
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- EAN13 : 9786131597275
- Réf. éditeur : 5396287
- Editeur : Univ Europeenne
- Date Parution : 19 oct. 2011
- Disponibilite : Disponible
- Barème de remise : NS
- Nombre de pages : 160
- Format : H:220 mm L:150 mm
- Poids : 245gr
- Interdit de retour : Retour interdit
- Résumé : Le traitement Si/N, lors de l'élaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de l'épaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.
- Biographie : Docteur en physique des matériaux semi-conducteurs. Elle a soutenu sa thèse de doctorat en 2006 à l'université ElManar II de Tunis. Elle enseigne à la faculté des sciences de Monastir-Tunisie. Ses travaux de recherche se focalisent sur l'élaboration des semi-conducteurs III-V appliqués aux dispositifs optoélectroniques.
