Elaboration des alliages GaAsBi sur substrat GaAs par EPVOM

Univ Europeenne - EAN : 9783841780409

Hédi Fitouri

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Édition papier

EAN : 9783841780409

Paru le : 7 nov. 2011

49,00 € 46,45 €

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Détails

EAN13 : 9783841780409
Réf. fournisseur : 5464095
Editeur : Univ Europeenne
Date Parution : 7 nov. 2011
Disponibilite : Disponible
Barème de remise : NS
Nombre de pages : 148
Format : H:220 mm L:150 mm
Poids : 228gr
Interdit de retour : Retour interdit

Résumé

Résumé : Ce travail est consacré à l'étude de la croissance par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques à pression atmosphérique de l'alliage GaAs1-xBix. Ce matériau, très attrayant pour les applications dans l'infrarouge (IR), peut avoir un gap qui peut atteindre l'IR lointain suivant la composition x en Bi. Cette étude est commencée par l'évaluation de l'effet du Bi sur des surfaces GaAs ayant différentes orientations cristallines. Les caractérisations ont mis en évidence la formation d'îlots de Bi de taille et de densité qui dépendent fortement des conditions de dépôt. Une faible énergie d'adhésion du Bi à hautes températures est marquée. La deuxième étape est consacrée à l'optimisation de la croissance de l'alliage GaAsBi. Ces études ont montré le succès de l'épitaxie de GaAsBi de bonne qualité cristalline jusqu'à une composition voisinant 4%. Ainsi, nous avons établi les conditions optimales suivantes : une température de croissance relativement basse de l'ordre de 420°C, un rapport V/III avoisinant 10 et un faible débit de TMBi de l'ordre de 2 10-7 mole/min. Les couches obtenues sont thermiquement stables même après un recuit à 550°C pendant 15 min.
Biographie : Docteur en physique, est enseignant de physique en classes préparatoires à l'Institut Préparatoire aux Etudes d'Ingénieurs de Monastir. Il est aussi membre de l'Unité de Recherche sur les Hétéro-Epitaxies et Applications (URHEA) à la Faculté des Sciences de Monastir - Tunisie.