Elaboration de couches de TiN par dépôt chimique en phase gazeuse

Univ Europeenne - EAN : 9783838181011

Hélène de Baynast

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Édition papier

EAN : 9783838181011

Paru le : 11 juin 2012

69,00 € 65,40 €

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Détails

EAN13 : 9783838181011
Réf. fournisseur : 5165588
Editeur : Univ Europeenne
Date Parution : 11 juin 2012
Disponibilite : Disponible
Barème de remise : NS
Nombre de pages : 232
Format : H:220 mm L:150 mm
Poids : 347gr
Interdit de retour : Retour interdit

Résumé

Résumé : Ce travail porte sur l'élaboration et la caractérisation des films de nitrure de titane déposés sur silicium par CVD à partir des précurseurs : tétrachlorure de titane (TiCl4), ammoniac (NH3) et hydrogène (H2). Les films sont réalisés dans un réacteur basse pression à chauffage rapide (RTLPCVD). Deux procédés de dépôt ont été proposés : un monocycle et un multicycle, ainsi que deux groupes de paramètres : le groupe 1 avec une haute température de dépôt (800°C) et une phase gazeuse riche en ammoniac et le groupe 2 avec une faible température de dépôt (500°C) et une phase gazeuse pauvre en ammoniac. L'étude des coefficients de sursaturation et des énergies libres de surface a permis de calculer les rayons des germes critiques. Des hypothèses sur les modes de croissance ont été émises : la germination des couches élaborées avec les paramètres du groupe 1 se ferait selon le mode de germination 2D-3D alors que la germination des groupes élaborées avec les paramètres du groupe 2 se ferait selon le mode de croissance 3D. Les dépôts ont été caractérisés par diffraction X, RBS, XPS, mesure de résistivité, spectrocolorimétrie, rugosité de surface et comportement tribologique.
Biographie : Docteur en Sciences des Matériaux et Génie des Procédés de l'Ecole Nationale Supérieure d'Arts et Métiers, Maître de conférences à Polytech Clermont-Ferrand,Membre du Laboratoire Institut Pascal - axe GePEB.Ses recherches portent sur l'élaboration et la caractérisation des interfaces solide-solide, solide-liquide et solide-gaz.