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Donneurs thermiques dans le silicium Czochralski
Univ Europeenne - EAN : 9783330865808
Édition papier
EAN : 9783330865808
Paru le : 10 avr. 2017
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- EAN13 : 9783330865808
- Réf. fournisseur : 8561768
- Editeur : Univ Europeenne
- Date Parution : 10 avr. 2017
- Disponibilite : Disponible
- Barème de remise : NS
- Nombre de pages : 76
- Format : H:229 mm L:152 mm E:5 mm
- Poids : 126gr
- Interdit de retour : Retour interdit
- Résumé : Le silicium de type Czochralski (Cz-Si) dopé au bore est caractérisé par une forte contamination en oxygène. Il se forme, ainsi, au cours du refroidissement du lingot de silicium, une variété de défauts et des complexes d'oxygène actifs. Dans ce livre, nous identifiant par spectroscopie infrarouge les différents complexes liées à l'oxygène interstitiel ainsi que leurs effets sur les propriétés électriques avant traitement thermique et après recuit sous atmosphère contrôlée d'azote, pour une gamme de température comprise entre 450 °C et 800 °C. Nous testons, aussi, l'effet de l'histoire thermique sur la formation des complexes d'oxygène en adoptant le processus du recuit cumulatif multi-étapes.
