Contribution à la modélisation électrothermique

Univ Europeenne - EAN : 9783841783134

Hussein Dia

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Édition papier

EAN : 9783841783134

Paru le : 28 nov. 2011

59,00 € 55,92 €

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Détails

EAN13 : 9783841783134
Réf. fournisseur : 5372772
Editeur : Univ Europeenne
Date Parution : 28 nov. 2011
Disponibilite : Disponible
Barème de remise : NS
Nombre de pages : 200
Format : H:220 mm L:150 mm E:12 mm
Poids : 302gr
Interdit de retour : Retour interdit

Résumé

Résumé : Dans ce mémoire de thèse, nous proposons une méthodologie de modélisation électrique prenant en compte les effets de la température sur les phénomènes localisés qui initient une défaillance souvent fatale. En prévision de la simulation électrothermique couplée impliquant des transistors MOS de puissance, un modèle électrique thermosensible de ce composant et de sa diode structurelle a été développé. Une attention particulière a été accordée à l'étude des phénomènes parasites qui pourraient survenir de manière très localisée suite à une répartition inhomogène de la température et à l'apparition de points chauds. Ainsi les fonctionnements limites en avalanche, avec le déclenchement du transistor bipolaire parasite et de son retournement ont été modélisés. Des bancs spécifiques pour la validation du modèle pour les régimes extrêmes ont été utilisés en prenant des précautions liées à la haute température. Enfin, Le modèle électrique thermosensible complet développé a été utilisé par la société Epsilon ingénierie pour faire des simulations électrothermiques du MOS de puissance en mode d'avalanche en adaptant le logiciel Epsilon-R3D.
Biographie : Né au Liban le 22 janvier 1982. Après un master de recherche en systèmes microélectroniques à l'université de Toulouse III en France, j'ai poursuivi mes recherches scientifiques dans le cadre d'une doctorat à l'institue nationale des sciences appliquées(INSA-Toulouse)sur la fiabilités des modules d'électronique de puissance embarqué.