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Contribution a la modelisation des tbh si/sige en temperature
Univ Europeenne - EAN : 9786131500848
Édition papier
EAN : 9786131500848
Paru le : 5 juil. 2010
69,00 €
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- EAN13 : 9786131500848
- Réf. fournisseur : 4813276
- Editeur : Univ Europeenne
- Date Parution : 5 juil. 2010
- Disponibilite : Disponible
- Barème de remise : NS
- Nombre de pages : 204
- Format : H:229 mm L:152 mm E:12 mm
- Poids : 308gr
- Interdit de retour : Retour interdit
- Résumé : La prise en compte de l'effet de la température et en particulier de l'auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d'être exposées à différentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation précise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l'auto-échauffement, caractérisé par une élévation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu'il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en oeuvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée.
