Application des algorithmes génétiques à la modélisation d'un GAAJ MOSFET

Univ Europeenne - EAN : 9786202544382

Hichem Bencherif

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Édition papier

EAN : 9786202544382

Paru le : 1 mars 2021

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Détails

EAN13 : 9786202544382
Réf. éditeur : 7279092
Editeur : Univ Europeenne
Date Parution : 1 mars 2021
Disponibilite : Disponible
Barème de remise : NS
Nombre de pages : 104
Format : H:229 mm L:152 mm E:6 mm
Poids : 166gr
Interdit de retour : Retour interdit

Résumé

Résumé : Ce livre entre dans le cadre de développement de nouveaux composants actifs en électronique dans le but d'améliorer leurs performances par rapport aux composants existants. Plus particulièrement, ce livre se focalise sur deux composants très utilisés dans l'industrie, en l'occurrence, il s'agit des MOSFET et HEMT. En effet, dans le but de pallier les inconvénients des effets du canal court et d'améliorer les performances du MOSFET, nous proposons une nouvelle structure basée sur des extensions source/drain fortement dopés, sans jonction avec grille enrobée (GAAJ MOSFET). L'objectif ensuite est de rechercher systématiquement les impacts d'un tel design sur les performances RF et analogiques, et de montrer le comportement immunisé contre les effets indésirables de canal court. Dans ce contexte, un modèle analytique issu de la solution rigoureuse de l'équation de Poisson incluant les effets des extensions drain/source a été développé et optimisé grâce aux algorithmes génétiques. Afin de valider le modèle proposé, une étude comparative entre la structure GAAJ MOSFET proposée et le dispositif classique, en termes de performances RF/analogiques, a été également abordée.
Biographie : Hichem Bencherif a obtenu le diplôme Ing. en électronique, le diplôme d'M.Sc en électronique, le doctorat en génie électrique, de l'Université Batna 2, Batna, Algérie, en 2007, 2015, 2019, respectivement. Ses intérêts de recherche actuels comprennent la modélisation et la simulation d'appareils optoélectroniques et photovoltaïques, matériau à large bande.