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Spectroscopies de photoluminescence et de photo-courant
Univ Europeenne - EAN : 9786131520617
Édition papier
EAN : 9786131520617
Paru le : 1 nov. 2018
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- EAN13 : 9786131520617
- Réf. fournisseur : 2444151
- Editeur : Univ Europeenne
- Date Parution : 1 nov. 2018
- Disponibilite : Manque sans date
- Barème de remise : NS
- Nombre de pages : 124
- Format : H:220 mm L:150 mm E:7 mm
- Poids : 194gr
- Interdit de retour : Retour interdit
- Résumé : Ce travail se place dans une approche nouvelle pour les cellules photovoltaïques: l'utilisation de nanostructures de silicium (ns-Si). Le but est d'étudier l'intérêt d'inclure des ns-Si dans la couche de passivation de la surface éclairée des photopiles en silicium afin d'augmenter leur rendement de conversion pour un coût supplémentaire négligeable. Sommaire synthétique: Introduction. Chapitre 1 - La cellule photovoltaïque en silicium (Principe de fonctionnement, Cellule réelle). Chapitre 2 - Les nanostructures de silicium (Avantages et confinement quantique, Origine de la luminescence, État de l'art). Chapitre 3 - Méthodes d'élaboration des ns-Si. Chapitre 4 - Les techniques de caractérisations optiques (Spectroscopie de photoluminescence des ns-Si, Spectroscopie de photo-courant des ns-Si,..., Exploitation des spectres de PL et de PC). Chapitre 5 - Préparation des échantillons: Expérimentations (Réalisation de dispositifs pour photo-courant, Fabrication de couches SiNx). Chapitre 6 - Résultats expérimentaux et Analyse (Spectroscopies de nanocristaux de silicium dans SiO2, Spectroscopies de ns-Si dans du nitrure de silicium). Conclusion et Perspectives. Bibliographie. Annexes.
- Biographie : Ingénieur diplômé de l'Institut National desSciences Appliquées de Lyon, département Science et Génie desMatériaux (2004). Titulaire du Diplôme d'Études Approfondies"Dispositifs de l'Électronique Intégrée" de l'École doctoraleE.E.A. de Lyon (2004). Docteur en micro et nanoélectronique,Institut National Polytechnique de Grenoble (2008).