Nous utilisons des cookies pour améliorer votre expérience. Pour nous conformer à la nouvelle directive sur la vie privée, nous devons demander votre consentement à l’utilisation de ces cookies. En savoir plus.
Nouveau procede de gravure de precision nanometrique en plasmas H2/He
Univ Europeenne - EAN : 9783639607581
Édition papier
EAN : 9783639607581
Paru le : 1 nov. 2018
64,89 €
61,51 €
Disponible
Pour connaître votre prix et commander, identifiez-vous
Notre engagement qualité
-
Livraison gratuite
en France sans minimum
de commande -
Manquants maintenus
en commande
automatiquement -
Un interlocuteur
unique pour toutes
vos commandes -
Toutes les licences
numériques du marché
au tarif éditeur -
Assistance téléphonique
personalisée sur le
numérique -
Service client
Du Lundi au vendredi
de 9h à 18h
- EAN13 : 9783639607581
- Réf. fournisseur : 2278850
- Editeur : Univ Europeenne
- Date Parution : 1 nov. 2018
- Disponibilite : Disponible
- Barème de remise : NS
- Nombre de pages : 188
- Format : H:229 mm L:152 mm E:11 mm
- Poids : 285gr
- Interdit de retour : Retour interdit
- Résumé : Pour la réalisation des transistors FDSOI 22 nm et 3D FinFET 10 nm, la gravure de couches ultraminces de quelques nanomètres d'épaisseur doit être réalisée sans endommagement de la couche sous-jacente et n'est plus envisageable avec les procédés reposant sur les plasmas continus à haute densité. Une nouvelle technologie de gravure est étudiée dans cette thèse : elle consiste à modifier la surface d'un matériau sous l'action d'un plasma et à retirer par voie chimique le matériau modifié, sélectivement par rapport au matériau non modifié. Nous nous focalisons ici sur la compréhension de la modification du matériau SiN induite par les plasmas de H2 et He, suivie d'une gravure chimique réalisée en solution de HF. Tout d'abord, un dépôt de conditionnement est développé pour prévenir la dégradation des parois et assurer la reproductibilité du procédé. Des diagnostics en plasmas de H2 et He sont ensuite réalisés pour déterminer la nature des ions, leurs flux et leurs énergies. Enfin la modification du SiN est caractérisée par différentes techniques d'analyse de surface (FTIR, SIMS, TEM).
